2种ITO靶材及溅射薄膜性能比较研究

摘要

针对一种进口和国产的ITO靶材,通过磁控溅射方法,对靶材及所制备薄膜的结构、光学、电性能进行比较.结果表明,国产靶材样品的表面未产生结瘤,薄膜透光率大于85%,薄膜结晶度高,呈现(400)择优取向,薄膜表面粗糙度在2.7 nm左右,具有较好的平整度,性能与进口靶材性能一致,符合TFT用靶材要求.