水吸附对WO3纳米线/金电极界面势垒的影响

摘要

构筑基于单根WO3纳米线的"金属/半导体/金属"三明治结构的场效应晶体管器件,并在不同环境下对器件进行电输运性能测试.结果表明:水吸附在纳米线表面增加了纳米线/金的界面势垒宽度,同时水吸附是WO3纳米线器件出现忆阻性能的重要原因.在空气中纳米线表面吸附的水分子被价带底的空穴不断氧化成O2并产生H+,而H+不断地在源漏两极积累,形成双电层,增加纳米线和金电极的界面势垒宽度.水吸附调制界面势垒的研究对揭示WO3忆阻机理及电致变色机制有一定的参考意义.