微测辐射热计阵列结构的制备

摘要

为了研究和优化二氧化钒(VO2)微测辐射热计的制备工艺,采用微电子机械系统(MEMS)体硅工艺制备了VO2微测辐射热计,经过研究和改进制备工艺,制得的微测辐射热计结构稳定,成品率高;经测试及计算,其响应率可达34.3kV/W,探测率为1.2×108cm.Hz1/2/W,响应时间约为65.3ms。此器件性能达到国内外同类器件水平。