非晶半导体带隙定域态中的跳跃导电

摘要

本文根据非晶半导体中的荷电悬挂键模型,用统计力学的方法推导出三种荷电缺陷中心的分布函数,并由此得到系统的费米能级和荷电中心上平均电子数的关系式。通过计算电子由一种缺陷中心向另一种缺陷中心的跳跃几率,解释了非晶半导体中的低温带隙跳跃导电问题。