含In_2O_3四方氧化锆多晶体

摘要

本文讨论了含In_2O_3四方氧化锆多晶体陶瓷(In-TZP)的烧结能力、相组成、力学性能及显微结构。结果表明在空气中无压烧结可以制备相对密度>95％的In-TZP,为了使t-ZrO_2稳定到室温以下,In_2O_3的加入量至少为3.0mol％,低温烧结对制备In-TZP有利,其力学性能对烧结条件十分敏感,K_(1c)最高达15.4MPa·m^(1/2)。In_2O_3-ZrO_2系统的临界尺寸0.32μm,均匀的细晶结构具有较好的增韧效果。