非晶碳化硅薄膜的近红外光发射

摘要

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在不同CH4流量下制备非晶SiCx:H薄膜,在室温下能用肉眼观察到薄膜较强的近红外光发射,并研究其光发射机制.荧光稳态和瞬态光谱分析表明,在不同波长激发下,薄膜的发光光谱谱形及峰位未发生明显变化,并且薄膜的荧光寿命在1～1.5 ns之间.经过1100°C退火处理后,随薄膜中硅团簇的析出其发光基本淬灭,研究认为非晶SiCx:H薄膜的近红外光发射主要源于薄膜中的Si悬键缺陷态发光中心.