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侯识华; 宋世庚; 马远新; 郑毓峰;
中国科学院新疆物理研究所;
新疆医科大学;
新疆大学物理系;
Sol-Gel法; PLZT; 铁电薄膜; 铅过量; 电 学性质;
机译:研究过量的铅含量和退火条件对溶胶-凝胶法制备的PZT(52-48)薄膜的微观结构和铁电性能的影响
机译:过量铅对金属有机分解法制备(Pb1-xLax)Ti1-x / 4O3薄膜铁电性能的影响
机译:过量铅对金属有机分解法制备的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜铁电性能的影响
机译:镧系反铁电锆酸铅-铁电铅锌铌酸铅陶瓷的电学性能
机译:PLZT [(Pb,La)(Zr,Ti)O3]薄膜的制备方法及其电学和光学性质的研究。
机译:NiFe / PLZT多铁性薄膜异质结构中铁磁共振的非易失性铁电开关
机译:SBT和PLZT薄膜的制备及其在铁电栅极结构和光子晶体器件中的应用
机译:溶胶 - 凝胶法制备锆酸铅 - 钛酸铅薄膜的微观结构发展及电学性能。 (重新公布新的可用性信息)。
机译:在PLZT铁电体薄膜形成用成分中,由PLZT铁电体用成分构成
机译:PLZT,PZT和PLT溶胶凝胶的制备方法及铁电薄膜的制备方法
机译:制备plzt,pzt和plt溶胶-凝胶并制备铁电薄膜的方法
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