电子强关联对LaMnO3电子结构的影响

耿滔; 庄松林

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电子强关联对LaMnO3电子结构的影响

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本文利用密度泛函对LaMnO3的电子结构进行了计算.结果表明,LaMnO3反铁磁绝缘基态的形成主要依赖于Jahn-Teller畸变而不是电子强关联,但电子强关联效应对LaMnO3电子结构的影响巨大.为了获得正确的结果,本文计算时考虑了适当的电子强关联修正.通过分析比较,表明在位的库仑能U取3.5eV是一个合理的选择.

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来源
《材料科学与工程学报》|2009年第4期|558-560|共3页
作者
耿滔; 庄松林;
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作者单位

上海理工大学理学院,上海,200093;

上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093;

上海市现代光学系统重点实验室,上海,200093;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类铁氧体、氧化物磁性材料;量子化学、量子力学计算;
关键词
LaMnO3; 电子强关联; 密度泛函;

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