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硅芯制备技术及对沉积多晶硅棒杂质的影响

     

摘要

本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术.简要介绍了两种硅芯制备技术的工艺流程,并对两种不同技术路线制备硅芯过程中的杂质分凝、挥发及坩埚污染进行了比较.根据分析结果,采用区熔硅芯能在一定程度上降低硅芯对硅棒的杂质贡献.

著录项

  • 来源
    《材料科学与工程学报》|2016年第3期|513-516,485|共5页
  • 作者单位

    昆明理工大学材料科学与工程学院,云南昆明650093;

    昆明冶研新材料股份有限公司,云南曲靖655011;

    云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,云南曲靖655011;

    昆明冶研新材料股份有限公司,云南曲靖655011;

    云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,云南曲靖655011;

    昆明冶研新材料股份有限公司,云南曲靖655011;

    云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,云南曲靖655011;

    昆明冶研新材料股份有限公司,云南曲靖655011;

    云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,云南曲靖655011;

    昆明冶研新材料股份有限公司,云南曲靖655011;

    云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室,云南曲靖655011;

    昆明理工大学材料科学与工程学院,云南昆明650093;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 晶体缺陷;
  • 关键词

    硅芯; 杂质分凝; 杂质挥发; 坩埚污染;

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