高谐波抑制隔离-滤波集成磁性器件仿真设计

摘要

针对5G通讯中磁性器件高二次谐波抑制的发展需求,通过对传统滤波器进行分析,结合HFSS电场软件对传统的阶梯阻抗谐振器(SIR)滤波器进行结构优化和仿真分析.在满足小尺寸要求的前提下实现了器件带内、带外优异的微波性能.通过与铁氧体隔离器进行集成优化,最终设计了一款带内频响特性好、带外抑制度高的集成磁性器件.器件实测性能指标满足项目技术要求:带内工作频率:f=24～27.5 GHz,带内回波损耗:≥20dB,带内隔离度:≥20 dB,带外二次谐波抑制:≥35 dB.