多孔GaN纳米晶须的气固机制合成及光致发光性质

摘要

采用纯的传统的GaN粉，用物理气相沉积的方法，在1200℃务件下，在一个传统的管式炉中制得了大量的多孔GaN纳米晶须。这些宏量的纳米晶须通过X射线衍射仪(XRC)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)、X射线能量损失谱仪(ECX)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌和宏、微观结构。结果显示这些纳米晶须的形貌为多孔形，单根晶体的直径为30～100nm、长度达到微米级，宏、微观结构均为六方单晶型结构。多孔GaN纳米晶须的光致发光性质也进行了测定，发现这些多孔纳米晶须在296nm处有一个强的锐形的发光峰。我们用量子限域效应解释了其光学性质，这是对多孔GaN纳米器材在紫外光和大功率激光二极管应用的扩展。