物理气相沉积

摘要： 航空发动机涡轮叶片试车后存在热障涂层剥落现象,通过对涂层剥落叶片及对比件进行宏观及微观观察、显微硬度、化学分析等测试,结合生产工艺全流程的调查分析及验证试验,找到叶片涂层剥落的根本原因。结果表明:叶片热障涂层剥落系物理气相沉积过程中设备抽气速率下降,造成炉内真空度下降,从而导致陶瓷层柱状晶组织与正常组织存在明显差异,且陶瓷层与金属粘接层存在一定厚度的TGO层,使得结合力下降。试验发现,通过改变真空度的高低,可得到两种不同的柱状晶组织;真空度高时,柱状晶呈羽毛状或麦穗状生长,硬度值高;真空度低时,柱状晶根部疏松,呈层状分布,硬度值低。这表明真空度对陶瓷层的组织和性能有一定的影响。

摘要： 第四次工业革命已经悄然来临,我国也正面临着从制造大国向制造强国转变的历史性机遇。中国和国际制造业面临产业升级和革新,德国提出“工业4.0”计划,中国提出“中国制造2025”计划,其最核心的方面是智能化制造,不管是物联网还是数字化制造,最前端都将是智能化,所有这些智能化制造都离不开传感技术,面对智能制造产业的需求和技术挑战,本文介绍了面向智能制造的PVD法结构一体化温度压力薄膜传感器,通过对新时代智能制造潮流下传感器的全球需求背景研究,讨论了薄膜传感器的研究价值,分析了薄膜传感器的国内外研究进展与相关薄膜传感器制备工艺的研究,综述了其研究发展现状,着重介绍了结构功能一体化薄膜传感器的关键制备工艺与应用,并对其未来发展做出了展望。

摘要： 湿气阻隔涂层是指对水分渗透有一定阻隔性的涂层,可以便捷而有效地阻隔绝大部分湿气的进入,广泛用于对水汽敏感的物品和装置的包装中。无机纳米涂层由于其致密的结构而具有较好的湿气阻隔性能,但在制备和使用过程中不可避免地会产生缺陷使水分子能够自由通过,从而不具备长效阻隔的效果。聚合物涂层对气体小分子的阻隔性能较差,但具有较好的韧性且便于成型,与无机涂层复合,能够弥补无机涂层的缺陷,大幅提高涂层的湿气阻隔性能以及使用寿命,从而达到“1+1>2”的效果。通过采用不同的材料复合方式和优化工艺方法,研究者们在制备湿气阻隔性能优异的涂层方面取得了诸多成果。本文归纳了湿气阻隔涂层的阻隔机理,总结了不同类型湿气阻隔涂层材料制备方法的最新研究进展,分析了湿气阻隔涂层所面临的问题并展望了其发展前景。

摘要： 为探索物理气相沉积(PVD)用于汽车外饰件的可行性,分析了紫外光可固化涂层固化能量、基材种类和PVD工艺类型(包括真空蒸发镀铟和磁控溅射镀铬)对样品各项性能的影响。结果表明,将PVD用于汽车外饰件可行。说明了相关注意事项。

摘要： 叙述了用物理气相沉积技术制备的硬质耐腐蚀磨损防护涂层的研究进展。重点介绍了腐蚀磨损耦合工况特性和作用机理,单元、多元掺杂氮化物涂层,高熵氮化物涂层,多层、纳米多层、纳米复合、梯度氮化物涂层耐腐蚀磨损性能研究,非金属元素/金属元素掺杂DLC涂层、多层复合DLC涂层耐腐蚀磨损性能研究,并对涂层改性、强化机理和腐蚀磨损失效机制进行了总结。最后,提出了未来物理气相沉积硬质耐腐蚀磨损防护涂层重点发展的方向,应重点发展涂层组元/结构设计、力–电耦合损伤机理研究、高效率研发设计、涂层先进制备装备与评估体系等方面的能力。

摘要： 切削过程中往往伴随着较大的应力和应变以及切削热的明显积累,导致刀具表面快速磨损,不利于工件高性能切削。刀具涂层是通过在常规刀具表面沉积一层具有高硬度、抗摩擦、化学惰性和抗氧化的材料来制备的。涂层材料减少了刀具与工件之间的摩擦和相互作用,减少了磨损,提高了涂层刀具的使用寿命和切削效率。

摘要： 制备铝防护涂层是金属腐蚀防护常用的手段。按照物理法和化学法将铝防护涂层的制备方法进行了划分,论述了热浸镀法、喷涂法、物理气相沉积法等物理法和电化学法制备铝防护涂层的研究进展,并对铝防护涂层制备方法的发展趋势进行了展望。

摘要： 固体氧化物燃料电池(SOFC)能够通过氢气与氧气的电化学反应将化学能转化为电能,符合清洁低碳导向,有利于“双碳”目标的实现。减小电解质的厚度有利于降低传统SOFC的工作温度并提高其在中低温(<600°C)工作环境中的电化学性能。综述了几种典型电解质制备技术的主要工艺特点和研究进展,分析了其在电解质工业生产中的优势和局限性,指出以脉冲激光沉积和磁控溅射为代表的物理气相沉积技术更符合清洁生产的理念,更适宜工业生产。

摘要： Mo-Cu合金作为一种新型的高温合金材料,既具有高熔点、低膨胀系数等性能,又具备高延展性、高导电导热性等特性,可应用到航空航天、核工业、电子等诸多领域.如何将Mo-Cu合金与耐高温、抗氧化的GH4099高温合金连接制成复合构件,从而避免钼合金高温抗氧化能力较差、易产生低温脆性的缺点,是其作为高温结构材料能够更广泛应用而亟待解决的问题.常规焊接方法难以实现难熔合金的有效焊接,用热等静压工艺可以避免在焊接区域内再结晶,实现对形变速率敏感的材料的大面积连接.鉴于此,本工作采用不同厚度Cu中间层对GH4099/Mo-Cu HIP扩散焊接头质量进行了对比分析,利用PVD/箔纸制备Cu中间层,在一定的工艺参数下对扩散偶进行连接.对不同厚度Cu中间层焊后接头的界面元素迁移、扩散层演化和断口形貌进行了SEM-EDS表征,并用硬度、拉伸和剪切实验测试了接头的力学性能.结果表明:Cu中间层有利于扩散偶的连接,PVD镀层作中间层优于箔纸.

摘要： 磁性纳米粒子组装颗粒膜的电磁输运特性一直是凝聚态物理领域的研究热点之一.以原位组装的策略制备磁性颗粒膜,可以将磁性纳米粒子的制备和薄膜的组装过程分开,实现磁性颗粒膜中颗粒尺寸、颗粒间距等微结构要素的独立调控,为揭示磁性颗粒膜电磁输运特性的微观机制创造条件.本文总结了近年来磁性纳米粒子组装颗粒膜的制备及其电磁输运特性的主要研究成果,包括磁性颗粒膜的可控制备、电阻温度依赖性、导电机制,以及磁性颗粒膜的反常霍尔效应和标度理论.

摘要： 针对传统电子束物理气相沉积(EB-PVD)制备的柱状晶结构MCrAlY涂层存在线性缺陷的问题，本文建立了等离子体激活EB-PVD(PA EB-PVD)设备，并采用PA EB-PVD技术制备出了具有等轴晶结构的新型NiCoCrAlY涂层。结果表明，增大电弧放电电压和基板偏压均可以提高沉积粒子的能量。随着沉积粒子能量增强，涂层逐渐由柱状晶结构转变为致密等轴晶结构，晶粒尺寸增大;另一方面，涂层成份离析效应增强，主要体现在Al含量降低和Cr含量升高。

摘要： 分析了SUS430不锈钢件成型时侧面产生拉伤的原因,简单叙述了模具结构及PVD物理气相沉积模具表面强化工艺技术即使用效果,并阐述了如何有效提升冲压件表面质量.

摘要： 复合材料的防腐较差,因此需要在复合材料表面施加一个金属表面处理层.选用一种物理气相沉积工艺在复合材料表面进行镀膜试验,制备了多种金属镀层.利用SEM、电子万能实验机、金相显微镜、特殊介质动态腐蚀实验台等设备和实验装置,对多种金属镀层薄膜进行了形貌、断面膜厚、力学性能的分析与评价,并进行了特殊介质环境腐蚀试验.结果表明该工艺可以制备目前实验所需的薄膜,同时该厚度的薄膜与基体的结合强度也满足目前实验的要求;经过特殊介质腐蚀后.样品的腐蚀增重速率介于铝合金和树脂块之间,表明该镀膜具有一定的耐腐蚀能力,可作为防护镀层使用.

摘要： 物理气相沉积具有金属汽化的特点，与不同的气体发应形成一种薄膜涂层。今天所使用的大多数PVD方法是电弧和溅射沉积涂层。这两种过程需要在高度真空条件下进行。rn Ionbond阴极电弧PVD涂层技术在20世纪70年代后期由前苏联发明，如今，绝大多数的刀模具涂层使用电弧沉积技术。

摘要： 本文综述了近现代发展起来的不锈钢表面处理技术,包括激光处理、离子注入、物理气相沉积、离子束增强沉积等物理技术,以及有机自组装膜、表面氮化、化学气相沉积、化学砂面、陶瓷化处理技术以及不锈钢化学着色等表面化学处理技术,并对不锈钢表面处理技术的发展进行了展望. 不锈钢表面离子注入是20世纪70,80年代初逐渐发展起来的一种新颖的表面改性方法，具体方法为把不锈钢试样放在离子注入机的真空靶室中，在几十至几百千伏的电压下，把所需元素的离子加速、聚焦、注入到工件表面，可获得过饱和固溶体、亚稳相、非晶态、和平衡态合金等不同组织的结构从而使不锈钢的抗氧化性能、抗菌性能、耐腐蚀性能、耐磨性能、硬度等有显著的提高. 激光表面处理技术是20世纪60年代发展起来的重要技术，随后该技术被应用于不锈钢的表面处理，主要通过高功率密度的激光束，以非直接接触性的方式对不锈钢表面进行加热，使金属表面层的组织、化学、物理等性能发生改善，以在不改变韧性的前提下对不锈钢材料表面改性。物理气相沉积技术最初在半导体、航空航天等领域得到应用，而该技术应用于不锈钢表面处理则源于20世纪80年代。该技术主要利用蒸发或溅射等物理形式让携带能量的蒸气粒子沉积到真空室中的不锈钢基片表面，最终形成沉淀膜层.

摘要： 超低压等离子喷涂沉积技术是近几年来正在发展的一项崭新技术。该技术特点是在原低压等离子喷涂基础上（通常喷涂工作压力为5000-8000Pa），采用大流量真空泵，使容器内动态工作压力达到100 Pa 以下，配置150kw 大功率等离子喷枪，使从喷枪喷出的高温粉体在加热过程中达到一定比率的气化。该技术结合了传统等离子喷涂或者低压等离子喷涂以凝固为主形成喷涂涂层和物理气相沉积以气/固方式形成沉积薄膜的特征。利用该技术可以制备不同与传统等离子喷涂和物理气相沉积能够获得的涂层组织结构，为材料表面改性提供了新的技术途径。本文将介绍这一技术的特点、发展动态和最近大连海事大学自行研制的超低压等离子喷涂与沉积设备。

摘要： 通过多弧离子镀方法制备CrN涂层和高铝含量的AlCrN（Al:Cr=70:30）涂层，在CETRUMT-2摩擦磨损试验机上，采用球-平面接触方式，对比研究了两种涂层与Si3N4陶瓷球和纯钛球配副的往复滑动摩擦学行为。用轮廓仪、扫描电镜（SEM）及电子能谱（EDX）对磨痕进行微观分析，在此基础上详细分析了涂层的磨损机理。结果表明，当与Si3N4球对磨时，AlCrN涂层表现出明显较好的排屑效率和承载能力。CrN涂层在正常磨损条件下的耐磨性优于AlCrN涂层，但在高载荷CrN涂层的磨痕中心应力最大处出现局部严重磨损，其磨损机理为剥层、磨粒磨损和氧化磨损。与纯钛球对磨时，CrN涂层的抗钛粘着性能明显优于AlCrN涂层;显然，AlCrN涂层不适合与钛配副的摩擦学应用领域。

摘要： Presentation Contents 1 AHUT and Our Research Group 2 Application of PVD Multilayer Hard Coatings ISO Works and Standard for PVD Hard Coatings 3 Presentation Contents 1 AHUT and Our Research Group ABOUT MA'ANSHAN.The film retained super hardness of above 47 GPa even at 1100°C which could contribute to the formation of crystalline SiNx, and the minute c-(Al,Si)N layer between c-TiN layers and h-AISiN layers delayed the ixansformatian of (Al,Si)N from cubic phase to hexagonal phase.

摘要： Presentation Contents 1 AHUT and Our Research Group 2 Application of PVD Multilayer Hard Coatings ISO Works and Standard for PVD Hard Coatings 3 Presentation Contents 1 AHUT and Our Research Group ABOUT MA'ANSHAN.The film retained super hardness of above 47 GPa even at 1100°C which could contribute to the formation of crystalline SiNx, and the minute c-(Al,Si)N layer between c-TiN layers and h-AISiN layers delayed the ixansformatian of (Al,Si)N from cubic phase to hexagonal phase.

摘要： Presentation Contents 1 AHUT and Our Research Group 2 Application of PVD Multilayer Hard Coatings ISO Works and Standard for PVD Hard Coatings 3 Presentation Contents 1 AHUT and Our Research Group ABOUT MA'ANSHAN.The film retained super hardness of above 47 GPa even at 1100°C which could contribute to the formation of crystalline SiNx, and the minute c-(Al,Si)N layer between c-TiN layers and h-AISiN layers delayed the ixansformatian of (Al,Si)N from cubic phase to hexagonal phase.

摘要： 本发明提供一种用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备。所述沉积环的内周表面上具有环形的内凸台，所述内凸台具有用于承接基片的承接面，所述内凸台上方的内周表面为沿着向上的方向渐开的锥形面。本发明提供的沉积环采用了锥形面和内凸台相结合的设计。通过向下渐缩(即沿向上方向渐开)的锥形面来减小基片的侧面和锥形面之间的缝隙，进而避免在基片的侧面镀膜。并且，还可以使基片的背面边缘直接与凸台的承载面接触，因此避免了背面绕镀的可能。此外，沿向上方向渐开的锥形面还有助于利用重力作用使基片自动地滑落到内凸台的承接面上，使基片准确地落入到预定位置，进而可以容许较大的传入位置偏差。

摘要： 一种新的物理气相沉积系统(1)，包括坩埚(10)，用于容纳原料(102)；衬底保持器(20)，用于保持衬底(4)；和移动装置(6a,6b)，用于移动坩埚(10)或衬底保持器(20)。本发明还提供一种用于调节物理气相沉积系统(1)中坩埚(10)和衬底(4)之间的距离的方法。

摘要： 本申请公开了一种物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备。该物理气相沉积腔室包括，腔室本体，在所述腔室本体内设置有上电极组件，所述上电极组件包括用于承载磁控管的底板组件，与所述底板组件间隔叠置的背板，以及将所述底板组件与所述背板相连的连接组件，所述连接组件包括连接栓，所述连接栓的栓头与所述底板组件相连，栓杆与所述背板螺纹连接。在使用这种物理气相沉积腔室时，可通过调节连接栓的栓杆与背板的连接长度，就可以实现调节底板组件的位置。由此，可根据要求或实际情况方便地调节底板组件与靶材之间的靶磁间隙的尺寸。

摘要： 本发明提供一种物理气相沉积处理方法和物理气相沉积处理装置。所述物理气相沉积处理方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在第一工序中，使设置于第一靶及第二靶与用于载置作为成膜对象的基板的载置台之间并且具有开口部的屏蔽件的所述开口部与第一靶重合来使第一靶相对于载置台露出，并且使开口部与第一靶靠近，所述第一靶包含金属氧化物来作为主要成分，所述第二靶包含构成该金属氧化物的金属来作为主要成分。在第二工序中，使用第一靶来执行溅射。在第三工序中，使开口部与第二靶重合来使第二靶相对于载置台露出，并且使开口部与第二靶靠近。在第四工序中，使用第二靶来执行溅射。

摘要： 本发明公开了用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉淀设备，包括承接环及覆盖环，所述承接环的内表面上具有环形内凹台，所述环形内凹台设有用于承接基片的第一承接面，所述承接环的顶部设有用于承接所述覆盖环的第二承接面，所述第一承接面通过弧形引导面连接至所述第二承接面，所述覆盖环的内侧设有向下方向厚度逐渐缩小的插接片，所述插接片靠近基片的一侧与基片的边缘紧密贴合。本发明避免由于出现缝隙而造成在基片的侧边镀膜，进一步避免了绕镀。覆盖环能够避免弧形引导面上被镀膜，而造成内凹台直径尺寸的偏差，承接环被覆盖环完全覆盖且表面形成熔射层，进一步防止了承接环被污染。

摘要： 本发明提供一种用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备。所述沉积环的内周表面上具有环形的内凸台，所述内凸台具有用于承接基片的承接面，所述内凸台上方的内周表面为沿着向上的方向渐开的锥形面。本发明提供的沉积环采用了锥形面和内凸台相结合的设计。通过向下渐缩(即沿向上方向渐开)的锥形面来减小基片的侧面和锥形面之间的缝隙，进而避免在基片的侧面镀膜。并且，还可以使基片的背面边缘直接与凸台的承载面接触，因此避免了背面绕镀的可能。此外，沿向上方向渐开的锥形面还有助于利用重力作用使基片自动地滑落到内凸台的承接面上，使基片准确地落入到预定位置，进而可以容许较大的传入位置偏差。

摘要： 本发明提供一种双镀源物理气相沉积工艺及多模式物理气相沉积设备。上述双镀源物理气相沉积工艺包括：低偏压制程，以靶材作为镀源，为准直器施加第一偏压并为晶圆施加第三偏压，准直器在第一偏压的作用下使靶材溅射镀膜粒子至晶圆的表面；射频准直制程，以准直器同时作为射频电极和镀源，为准直器施加射频电压，准直器在射频电压的作用下溅射镀膜粒子至晶圆的表面；高偏压制程，以靶材作为镀源，为准直器施加第二偏压并为晶圆施加第四偏压，准直器在第二偏压的作用下使靶材溅射镀膜粒子至晶圆的表面；第四偏压大于第三偏压且二者功率的差值不小于200W。采用上述双镀源物理气相沉积工艺能够使晶圆上所需覆盖的结构形成覆盖率高、均匀度高的镀膜。

摘要： 本发明公开了一种物理气相沉积源的移动装置及物理气相沉积装置，涉及物理气相沉积技术领域。移动装置包括：第一移动机构，与基座连接，用于带动所述基座在第一方向上往复移动；第二移动机构，与所述第一移动机构连接，所述第二移动机构用于带动所述第一移动机构以及所述基座在第二方向上往复移动，所述第一方向与所述第二方向为不同方向。本发明能够避免增加或更换靶材后带来的PVD SOURCE位置偏移，从而避免对PVD产品质量的影响。

摘要： 本申请公开了一种物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备。该物理气相沉积腔室包括，腔室本体，在所述腔室本体内设置有上电极组件，所述上电极组件包括用于承载磁控管的底板组件，与所述底板组件间隔叠置的背板，以及将所述底板组件与所述背板相连的连接组件，所述连接组件包括连接栓，所述连接栓的栓头与所述底板组件相连，栓杆与所述背板螺纹连接。在使用这种物理气相沉积腔室时，可通过调节连接栓的栓杆与背板的连接长度，就可以实现调节底板组件的位置。由此，可根据要求或实际情况方便地调节底板组件与靶材之间的靶磁间隙的尺寸。

摘要： 本实用新型公开了用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉淀设备，包括承接环及覆盖环，所述承接环的内表面上具有环形内凹台，所述环形内凹台设有用于承接基片的第一承接面，所述承接环的顶部设有用于承接所述覆盖环的第二承接面，所述第一承接面通过弧形引导面连接至所述第二承接面，所述覆盖环的内侧设有向下方向厚度逐渐缩小的插接片，所述插接片靠近基片的一侧与基片的边缘紧密贴合。本实用新型避免由于出现缝隙而造成在基片的侧边镀膜，进一步避免了绕镀。覆盖环能够避免弧形引导面上被镀膜，而造成内凹台直径尺寸的偏差，承接环被覆盖环完全覆盖且表面形成熔射层，进一步防止了承接环被污染。