碳化硅光栅结构中的强吸收及热辐射调控

摘要

基于严格耦合波分析(RC W A)方法研究了红外光波与碳化硅(S iC)光栅结构间的相互作用,尤其是结构在10微米到14微米波段的吸收及热辐射特性.计算得到了光栅的吸收/发射谱,验证了表面声子共振的激发,分析了光栅周期、光栅深度、占空比和入射角度对吸收特性的影响.在横磁(T M)波入射下,光栅周期及深度的增加均导致吸收峰/发射峰的红移;占空比对辐射性能也会产生较大的影响,改变占空比,在光栅全反带出现了吸收峰,还影响着吸收峰位置及幅值;入射角度变大时,吸收谱/发射谱峰值呈现减小势态.本文的研究结果可以拓展到其它极化晶体材料中.