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GaAs/SiO2超晶格的制备和Raman光谱研究

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摘要

我们采用射频磁控溅射方法在p-Si衬底上成功地制备出四周期的非晶GaAs/SiO2超晶格,并取得其高分辨率电镜像.以800℃快速退火方法使超晶格中非晶的GaAs层局部晶化.利用Raman散射谱研究了其结构变化.

著录项

来源
《光散射学报》 |2000年第3期|142-146|共5页
作者
衡成林; 王孙涛; 秦国刚; 王敬; 王永鸿; 陈坚邦; 濮玉梅; 陈晶;
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作者单位

北京大学物理系,北京,100871;

北京大学物理系,北京,100871;

北京大学物理系,北京,100871;

北京有色金属研究总院,北京,100088;

北京有色金属研究总院,北京,100088;

北京有色金属研究总院,北京,100088;

雷尼绍北京办事处,北京,100027;

北京大学电子显微镜实验室,北京,100871;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类拉曼光谱分析法;
关键词
拉曼散射; 超晶格; 高分辨率电镜; 磁控溅射;

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