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利用纳米GaP固体材料的拉曼光谱计算其微结构参数

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利用纳米GaP固体材料拉曼光谱的类横向光学模峰移(ΔωTO)对其均方根键角畸变(Δθ)和平均键畸变能(Uθ)进行了计算.计算结果表明:当成型压力增加时,纳米GaP固体材料的Δθ和Uθ均增加;而将纳米GaP固体材料在325℃进行1h热处理后,其Δθ和Uθ并没有明显的变化.

著录项

来源
《光散射学报》 |2003年第2期|82-85|共4页
作者
张兆春; 邹陆军; 崔得良;
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作者单位

上海大学材料科学与工程学院,上海,200072;

上海大学材料科学与工程学院,上海,200072;

山东大学晶体材料研究所,济南,250100;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体晶体结构;
关键词
纳米; GaP; 拉曼光谱; 均方根键角畸变; 平均键畸变能;

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