A=80区域偶偶核形状相变研究

摘要

采用E-GOS方法对质量数在A=80区的偶偶核^70-80Se、^72-84Kr和^78-86Sr偶偶核形状相变进行系统研究.研究表明,在低自旋时^70,72Se、^72-74Kr、^86Sr 5个核素趋于U（5）极限.^80Se、^76Kr和^80Sr 3个核素趋于O（6）极限.该区的其它核素是U（5）-O（6）的过渡核.单粒子激发对A=80区域偶偶核形状相变有重要影响.