二硅化钼基材料的晶界腐蚀方法探讨

摘要

通过采用所选的化学腐蚀剂的系列实验,对不同工艺制备的MoSi2基材料进行了晶界腐蚀实验,利用XJG-04型金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM),研究了MoSi2基材料腐蚀后的显微组织,并对其腐蚀结果进行了探讨.研究结果发现,用热压烧结法制备的致密度较高的MoSi2基材料具有晶间腐蚀敏感性,可用(HF+HNO3+H2O)作为其晶界腐蚀剂显示晶粒大小;MoSi2基材料的微观结构对晶界腐蚀有很大的影响,孔隙等缺陷越少,越有利于晶界的腐蚀,当孔隙率较高时其腐蚀模式主要为缝隙腐蚀,不宜用腐蚀的方式显示晶粒大小.