直流PCVD方法制备碳纳米管的生长特性

摘要

通过直流PCVD方法制备碳纳米管,研究了基片温度在500℃～90℃范围内,反应气体的压强在60torr、75torr和90torr时碳纳米管的生长特性,发现700℃左右是比较合适的沉积温度,当气压为75torr的时候,管径均匀。同时研究了甲烷浓度在8%～20%时碳纳米管的生长特性,发现低的甲烷浓度沉积的碳纳米管的管径比较均匀,而较高的甲烷浓度下管径不均匀。