高纯锗探测器探测效率的MCNP模拟

摘要

利用同轴型高纯锗(HPGe)探测器测量152Eu和133Ba在15 cm处的探测效率, 调节探测器死层厚度和冷指尺寸, 利用Monte Carlo方法对同轴型HPGe探测器的全能峰效率进行模拟计算, 并将计算效率与实验效率进行比较. 结果表明, 当HPGe探测器的死层厚度为0.22 cm, 冷指半径和长度分别为0.301 cm和1.00 cm时, 模拟效率与实验效率相符.