Z型BiVO4/GO/g-C3N4复合材料的制备及其可见光下催化性能

摘要

Z-型光催化剂可以有效增强电荷分离,从而改善光催化剂的活性.采用浸渍–煅烧和水热法两步制备Z型BiVO4/GO/g-C3N4光催化剂,并用不同手段对其进行表征.在BiVO4/GO/g-C3N4的光催化过程中,GO纳米片作为BiVO4和g-C3N4之间的快速传输通道,可以抑制电子–空穴复合,显著促进电荷分离,提高三元异质结的氧化还原能力.与单组分或二元复合物相比,该催化剂具有良好的光降解罗丹明B(RhB)的能力.在可见光照射下,它能够在120 min内降解85％RhB,空穴(h+)在反应中起主要作用.该工作为三元光催化剂体系提供了简单的制备方法,其中g-C3N4通过GO与BiVO4偶联,光催化活性显著提高.