ZnO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性

摘要

本文研究了不同工艺条件制备的ＺｎＯ非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性，根据介电频谱和低温温谱，认为音频损耗机理是载流子跳跃传输，低温－１３８°Ｃ和－８７．５°Ｃ处的损耗机制是热离子极化．实验发现并理论推导了ＺｎＯ非欧姆陶瓷元件的阻性电流正比于其电容和压敏电压的乘积，这一关系可作为ＺｎＯ元件的质量控制手段．