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高性能Y0.5Gd0.5BCO薄膜的研究

         

摘要

通过在YBCO前驱溶液中加入醋酸钆(Gd(CH3COO)3),使元素Gd部分取代Y,成功地制备了Y0.5Gd0.5BCO薄膜,该薄膜成分单一且具有很好的C轴取向.通过对Y0.5Gd0.5BCO薄膜和YBCO、GdBCO薄膜的超导件能比较发现,虽然Y0.5Gd0.5BCO薄膜的临界转变温度(Tc)(约为90.5 K)较YBCO和GdBCO薄膜有所下降,但是在65K、自场下,Y0.5Gd0.5BCO薄膜具有最高的临界电流密度(Jc)值,为4.87MA/cm2.且随着外加磁场的增加,Jc值提高的较多.在3T的磁场下,Y0.5Gd0.5BCO薄膜的Jc值分别是纯GdBCO和YBCO薄膜的1.8倍和5.1倍.此外,替代还有效提高了薄膜的磁通钉扎力.

著录项

  • 来源
    《无机材料学报》 |2010年第12期|1273-1276|共4页
  • 作者单位

    北京工业大学,材料科学与工程学院,国家教育部功能材料重点实验室,北京,100124;

    北京工业大学,材料科学与工程学院,国家教育部功能材料重点实验室,北京,100124;

    北京工业大学,材料科学与工程学院,国家教育部功能材料重点实验室,北京,100124;

    北京工业大学,材料科学与工程学院,国家教育部功能材料重点实验室,北京,100124;

    北京工业大学,材料科学与工程学院,国家教育部功能材料重点实验室,北京,100124;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 超导体、超导体材料;
  • 关键词

    YBCO薄膜; 元素替代; 低氟MOD; 场性能;

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