CZ—Si辐照缺陷的红外研究

摘要

报道了高碳CZ-Si经中子和电子辐照后产生氧-缺陷复合体的研究结果。电子辐照产生的830cm^(-1)峰在退火时转化成889、904、969、986、1000及1006cm^(-1)峰的退火曲线支持了Corbett和Stein提出的多重氧-缺陷复合体的模型。中子辐照产生的830cm^(-1)峰在退火时出现宽化现象是由于存在与830cm^(-1)峰组态相似的842、834和827cm^(-1)等卫星峰所致,并提出了对应于这些卫星峰的可能的缺陷模型。