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原子氢辅助分子束外延生长对GaAs材料性能的改善

     
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摘要

利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了常规分子束外延和原子氢辅助分子束外延生长的掺杂Si和Be的GaAs同质结构样品中缺陷的电学特性.发现原子氢辅助分子束外延生长的样品中缺陷的浓度与常规分子束外延生长的样品相比有明显的降低,这可解释为生长过程中原子氢对缺陷的原位中和与钝化作用.

著录项

  • 来源
    《红外与毫米波学报》|2000年第3期|191-193|共3页
  • 作者

    王海龙; 朱海军; 宁东; 汪辉; 王晓东; 郭忠圣; 封松林;

  • 作者单位

    中国科学院半导体,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    原子氢辅助分子束外延生长; 深能级瞬态谱(DLTS); 深能级缺陷;

  • 入库时间 2023-07-25 20:02:35

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