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半绝缘GaAs的表面光伏谱研究

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摘要

利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态.通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面复合而在样品表面形成载流子浓度梯度引起的,通过实验表明SPV是一种对SI-GaAs晶片表面质量进行检测的非常灵敏的无损检测方法.

著录项

来源
《红外与毫米波学报》 |2000年第1期|15-18|共4页
作者
陈宜保; 江德生; 王若桢; 郑红军; 孙宝权;
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作者单位

中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083;

北京师范大学物理系,北京,100875;

中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083;

北京师范大学物理系,北京,100875;

中国科学院半导体研究所,北京,100083;

中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术、激光技术;
关键词
表面光伏谱; SI-GaAs; 无损检测;

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