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半绝缘砷化镓表面光伏谱的三区分析

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摘要

采用低温(21 K-300K)稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为三个区域,并对三个区域的成因进行了合理的物理分析.

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来源
《江西科学》 |2005年第5期|548-551|共4页
作者
王松柏;
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作者单位

福州大学物理与信息工程学院,福建,福州,350002;

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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
半绝缘GaAs; 表面光伏谱; 三个区域;

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