变磁场I-V法对碲镉汞光伏器件少子扩散特性的研究

摘要

零偏压电阻-面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0是决定光电二极管性能的重要参数.提出了一种对碲镉汞(Hg 1-xCdxTe)光伏器件的少子扩散特性进行研究的有效方法.利用变磁场下的电流-电压(I-V)测试,得到了组分x在0.5与0.6之间的器件R0A和J0随磁场强度B变化的函数关系.由实验结果估算得到了室温工作的短波红外(SWIR)碲镉汞光伏器件的少子扩散长度.其数值与用激光诱导电流(LBIC)方法得到的相一致.