金红石TiO2薄膜的生长及性能研究

摘要

采用PLD方法分别在GaN和AlGaN/GaN基片上生长金红石TiO2 (200)薄膜.XRD和AFM分析结果表明:当基底温度为600℃时,在GaN基片上生长的金红石TiO2 (200)衍射峰表现明显和尖锐,薄膜表面形貌均匀平整,说明在该条件下制备出TiO2薄膜具有更好的结晶度.用TEM对薄膜界面特征进一步分析观测,TiO2薄膜晶格条纹清晰,薄膜与基底的界面清晰整齐.结果表明,在GaN基底上成功生长金红石型TiO2薄膜.