PLZT（7．5／65／35）薄膜制备与铁电性能研究

摘要

讨论了用射频磁控溅射技术制备的ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）薄膜的结构和铁电性能。研究表明，在不同的基片温度下所获得的薄膜都有（２１０）和（００２）取向的钙钛矿结构，但取向不同，峰值差别很大；经过退火处理后薄膜结构差异变小；添加少量的ＰｂＯ有利于薄膜的钙钛矿晶相的生长，ＰＬＺＴ薄膜的微观结构均匀，电性能较好。