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张少强; 徐重阳;
固体电子学系;
非晶硅; 薄膜晶体管; 有源层厚度; 固定电荷;
机译:有源层厚度对高迁移率InZnO薄膜晶体管低频噪声特性的影响
机译:有源层厚度对聚合物薄膜晶体管电学特性的影响
机译:聚合物薄膜晶体管有源层厚度对逆变器电路电学特性的影响
机译:有源矩阵有机发光显示器:新型非晶硅薄膜晶体管和像素电极电路
机译:有源层厚度不同的非晶InGaZnO薄膜晶体管中漏极电流应力引起的不稳定性
机译:有源层厚度对高迁移率非晶铟 - 镓 - 氧化钛薄膜晶体管的电特性及稳定性的影响
机译:缺陷态空间位置对非晶硅和多晶硅薄膜晶体管开关特性的影响:amps 2-D的数值模拟
机译:最小化有源层厚度的薄膜晶体管及其制造方法
机译:薄膜晶体管,一种制造薄膜晶体管的方法和一种具有该薄膜晶体管的有机发光显示装置,能够通过在有源层中另外形成通道来改善电流特性
机译:具有有源薄膜晶体管的有源矩阵型有机发光二极管的驱动薄膜晶体管和有源矩阵薄膜晶体管的有源矩阵型有机发光二极管的驱动薄膜晶体管
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