首页> 中文期刊>华中科技大学学报:自然科学版 >双层膜垂直磁记录MR头读出过程的理论分析

双层膜垂直磁记录MR头读出过程的理论分析

     

摘要

从理论上分析了双层膜孤立垂直磁化MR头的读出过程。结果发现,若采用双层膜垂直磁记录介质与MR头相耦合使用,则可实现比单层膜垂直磁化介质记录更高的记录道密度。这有利于提高记录面密度。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号