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侯光团; 李立本; 陈庆东;
河南科技大学物理与工程学院,河南洛阳471003;
Pb(Zr0.2Ti0.8)O3; 薄膜; 畴;
机译:不同电阻率衬底上外延生长的Pb(Zr0.2Ti0.8)O-3薄膜的畴结构与热电响应的关系
机译:电极界面控制外延Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜中肖特基二极管行为的关键分析
机译:通过脉冲激光沉积在(001)SrTiO3上生长的PbZr0.2Ti0.8O3外延薄膜中的缺陷微观结构
机译:在错切的SrTiO3衬底上外延生长的钙钛矿PbTiO3薄膜的分步生长
机译:溅射沉积外延(1-x)Pb(Mg1 / 3Nb2 / 3)O3-- xPbTiO3薄膜的结构性质关系。
机译:PbTiO3 / SrTiO3外延薄膜中铁电畴的构型和局部弹性相互作用以及失配位错
机译:外延Srruo3薄膜沉积在SRO缓冲-Si(001)基板上的铁电PB(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜
机译:超薄pbTiO3薄膜中单畴极化的稳定性。
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微执行器中具有实用性
机译:A位和/或B位改性的PbZrTiO3材料和(Pb,Sr,Ca,Ba,Mg)(Zr,Ti,Nb,Ta)O3薄膜在铁电随机存取存储器和高性能薄膜微致动器中具有实用性
机译:GAN / Al2O3上的透明场效应管外延生长GA2O3薄膜的制造方法及场效应管
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