低能离子束注入甘草的刺激效应和诱变效应的RAPD分析

摘要

利用生物材料专用的低能离子束注入机,分别以低能(30 keV)Ar+ 0(对照),600×(2.6×1013),900×(2.6×1013)和1 200×(2.6×1013) ions/cm2的剂量注入甘草种子,M1代材料中,900×(2.6×1013) ions/cm2剂量处理对甘草具有明显刺激生长效应,而其他剂量没有这种刺激生长作用.分别把对照和900×(2.6×1013) ions/cm2剂量处理的植株进行了RAPD多态性比较.从200个引物中筛选出24个引物进行扩增,经分析可以认为,离子束注入甘草种子在基因结构上没有太多的变化,甘草的这种刺激生长效应是低能离子束物理刺激的结果.