离子束注入

摘要： 为了获得腺苷高产菌株,以肌苷产生菌枯草芽孢杆菌(Bacillus subtilis)HSD1206(Ade-、Thi-、SGr)为出发菌株,通过硫酸二乙酯(DES)处理、N离子束注入进行单因子和复合诱变.参照菌种致死率曲线,确定N离子束注入250 s与DES处理10 min为最佳诱变时间.经过多轮诱变和筛选,获得了黄嘌呤、硫胺素、组氨酸三重缺陷型,腺嘌呤脱氨酶活性缺失及磺胺胍抗性菌株DI4-24和DI4-182,其遗传标记为Xan-、Thi-、His-、Deam-、SGr,连续传代后性状稳定,在优化的发酵培养基中发酵后腺苷产量可分别达到18.56 g/L和17.13 g/L.由此证明,通过物理、化学复合诱变,阻断枯草芽孢杆菌营养缺陷型菌株产肌苷途径,打通合成腺苷途径的诱变思路在实验室环境下是可行的.%The inosine producing bacterium Bacillus subtilis HSD1206 (Ade-Thi-SGr) was selected as parent strain and treated with diethyl sulfate (DES) and N ion beam injection for single factor or compound mutagenesis to select adenosine producing strain after several rounds of mutation and breeding.Results showed that the best mutagenesis time was 250 s by N ion beam injection or 10 min by DES treatment according to the strain lethality curve.The strains which showed xanthine,thiamine,histidine triple defect type,lacked adenine deaminase activity and resisted sulfaguanidine were named DI4-24 and DI4-182,and the genetic markers were Xan-Thi-His-Deam-and SGr.They could steadily accumulated adenosine in the optimization fermentation medium to 18.56 g/L and 17.13 g/L respectively after consecutive culture.In conclusion,the thought of blocking the way to product inosine and inducing the way to synthesize adenosine of Bacillus subtilis auxotroph strain by physical and chemical mutagenesis is feasible in the laboratory environment.

摘要： ZnTe:O高失配合金半导体是实现中间带太阳电池的有效途径,其制备通过如下几步实现:1)分子数外延(MBE)设备进行ZnTe单晶生长;2)将分子束外延制备的单晶ZnTe进行离子束注入;3)通过快速激光退火处理来实现ZnTe晶体质量的提升,修复晶格损伤.MBE所获得的最优晶体质量的条件是Zn源温控制在260°C,Te源温控制在290°C.掺杂O为1.25×1021cm-3时,所获得的中间带效果最好,并且在经过激光快速退火处理后,中间带的强度显著提升.%ZnTe:O highly mismatched alloys is an effective way to achieve intermediate band solar cell.The fabrication of ZnTe:O is as follows:(a) the growth of ZnTe single crystal by molecular beam epitaxy;(b) the implantation of O ions to ZnTe;? the rapid annealing by pulsed laser to improve the quality of ZnTe single crystal and repair the crystal damage.The best condition to get ZnTe with high quality is to fix the temperature of Zn and Te at 260 °C and 290 °C,respectively.When the O concentration is 1.25 × 1021 cm-3,the intermediate band reaches its peak and its intensity is obviously enhanced after the pulsed laser annealing.

摘要： 在能量50 keV的条件下，将不同剂量的Fe ＋及Ti ＋注入杉木种子，观察离子束注入后对种子萌发及幼苗形态学的影响。结果表明：Fe ＋及Ti ＋注入对种子发芽有延迟效应，且发芽率随离子束注入剂量的增高呈下降趋势；离子束注入剂量对杉木主根初期的生长具有显著抑制作用，不同剂量Fe ＋的注入可使根长大幅度下降，即根长对Fe ＋的敏感程度更高；处理组与对照相比苗高均值相差不大，但个体上经Fe ＋处理的突变率高于Ti ＋处理，经离子注入处理组共有7株优势苗入选。%The effect of different dosage injection of Fe +and Ti +into Cunninghamia lanceolata seeds under 50 keV energy condition on seed germination and morphological characteristics and growth indexes of the seedlings were observed in the study.The results show that Fe +and Ti +injection had a delay effect on seed germination,the germination rate dropped along with the dosage increase of Fe +and Ti +ions injected into the seeds.The early stage of seedling root growth was significantly inhibited by ion beam injection.The root length of the seedlings was sharply reduced along with the increment of Fe +dosage injected,indicating that the root length of C.lanceolata seedlings was highly sensitive to Fe +ion.There were no significant differences in seedling height among the treat-ments and the control group,but the mutation rate of seedligns injected with Fe +ion was higher than that of injec-ted with Ti +ion.7 superior seedlings were selected from treatment group with ion beam injection.

摘要： 以两个玉米自交系联87和丹黄25为材料，采用能量为8.0×1015焦耳的 N +，在5.0×1020个/ cm2的相同剂量下，分别进行离子束注入处理。设置种胚面（正面）、非种胚面（侧面）胚面注入加激活、非种胚面加激活等处理。在相同种植条件下对经离子束处理的 M1代的生物学效应和 M2的变异频率进行研究。结果表明：在不同处理下两个自交系的出苗率均较 CK 均下降，其差异达到极显著水平；联87在不同处理下的平均变异频率为9.3%，其中侧面注入加激活变异频率最大，为23.1%；丹黄25在不同处理下的平均变异频率为3.5%，其中正面注入加激活变异频率最大，为5.6%。从变异谱看，两个自交系均出现在熟期、育性、抗性、品质、双穗率、株高和穗长等变异，特别是出现3个以上性状同时变异而且是正向的期待性状，运用模拟法测定变异株系配合力，联87正向变异不明显，丹黄25获得一个株高变矮、叶片变宽、品质变好、双穗率达83%优良穗行。

摘要： U sing C orynebacterium glutam icum as originalstrain,through low energy N + im planting into C .glutam icum ,com bining w ith isoleucine hydroxam ic (IleH x)and otheram ino acid structure analogues to conductdirected screening,one high L-isoleucine yield m utantstrain w as obtained. A fter72 h ferm entation in shaking flask,the concentration ofL-Ile w as 21-22 g/L,and after51 h ferm entation in 50-liters ferm entor,the concentra-tion ofL-Ile w as32 g/L.%以谷氨酸棒状杆菌（C orynebacterium glutam icum）为出发菌株，利用低能氮离子束注入对其进行多次诱变，结合异亮氨酸氧肟酸盐（IleH x）等氨基酸结构类似物定向筛选，得到一株稳定的高产L-异亮氨酸菌株：摇瓶培养72 h，产酸可达21~22 g/L，在50 L发酵罐上发酵51 h，产酸可达32 g/L。

摘要： 研究比较不同离子注入对杉木生长差异,为离子注入技术在杉木育种上的研究提供参考依据．以能量50 keV,不同剂量 Fe＋及 Ti＋注入杉木种子,观察注入后其对杉木幼苗苗高及相对电导率影响．Fe＋及Ti＋注入对苗高长生均呈波动上升趋势,Fe＋ D4剂量对苗高促进作用较强,Ti＋ D3剂量对苗高促进作用较好,随着幼苗的生长,苗高增幅之差表现出下降的趋势．Fe＋及 Ti＋注入处理组的电导率均表现出先上升后下降的趋势,电导率在 D3剂量时都上升达到最高点,分别上升了9．5％和4．8％；同剂量下 Fe＋的上升幅度均大于Ti＋,对电导率的影响更显著．Fe＋及 Ti＋对幼苗的苗高具有促进作用,并随注入剂量升高促进作用有越强的趋势；Ti＋注入相比 Fe＋注入,对细胞膜造成损伤程度低。%This paper studies the growth that varied significantly of Chinese fir comparison different ion implantation for ion implantation studies on Chinese fir breeding technology to provide reference. Under energy of 50 keV,Fe+ and Ti+ ,different dose injection to the fir seeds observe fir seedling height and relative conductivity index changes.Fe+ and Ti+ injection have the trend of rising on seedling height,Fe+ D4 doses of injected on the seedling height promote even more sharply,Ti+ D3 doses of injected have better effect to promote the seedling height,and to promote the implantation dose increases with the stronger tendency,However,no obvious significant .with the growth of seedlings,seedling height increment showed a downward trend.Relative conductivity all offered upgrade firstly than descending latter tendency.The conductivity is increased to the highest dose D3 point,increasing 9.5% and 4.8%.Rise of Fe+ ions with a dose greater than Ti+ ions,more significant to the influence of the conductivity.Fe+ and Ti+ injection have certain stimulating function for its height,Ti ion implantation compared to the Fe ions,resulting in low levels of cell membrane damage.

摘要： 在能量50 keV的条件下,将不同剂量的Fe+及Ti+注入杉木种子,观察离子束注入后对种子萌发及幼苗形态学的影响。结果表明:Fe+及Ti+注入对种子发芽有延迟效应,且发芽率随离子束注入剂量的增高呈下降趋势;离子束注入剂量对杉木主根初期的生长具有显著抑制作用,不同剂量Fe+的注入可使根长大幅度下降,即根长对Fe+的敏感程度更高;处理组与对照相比苗高均值相差不大,但个体上经Fe+处理的突变率高于Ti+处理,经离子注入处理组共有7株优势苗入选。

摘要： In this article,azelaic acid-production strains were mutated and screened by means of ion implantation.A mutation strain was obtained with azelaic acid yield of 35.81 g · L-1,which was 74.17% higher than that of the strating strain.%采用离子束注入的方法对产壬二酸菌种进行诱变筛选,获得一株壬二酸产率达到35.81 g·L-1的菌株,壬二酸产率较出发菌株提高了74.17％.

摘要： A mutant strain was screened from G. Lucidum. Meiguo Lingzhi by the technique of ion implantation. Under the implantation conditions of 20 KeV, 2×1016ions/cm2, a high yield exopolysaccha-ride strain has been selected from mutant strains. As a result of that the exopolysaccharide yield was 2. 71 g/L, and increased by 15. 32% than that of the comparison strain. The optimal medium was: glucose 45 g/L, corn meal 40 g/L, soybean meal 10 g/L, yeast extract 0. 5 g/L, KH2PO4 0. 5 g/L, MgSO4 ? 7H2O 0. 1 g/L and Vb, 25 jug/L. After 120 hours fermentation by the batch process , the exopolysaccharide yield could reach 3. 38 g/L.%以美国大灵芝为出发菌株,利用N+离子注入技术选育出一株遗传性状稳定的灵芝多糖高产菌株.结果表明:在20 KeV、2×1016ions/cm2的注入条件下灵芝菌株G13的胞外多糖的产量为2.71 g/L,比对照菌株提高了15.32%.采用单因素法和正交实验法得到的培养基组分质量浓度优化组合为:葡萄糖45g/L,玉米粉40g/L,黄豆粉10g/L,酵母膏0.5g/L,VBl 25 μg/L,KH2PO4 0.5 g/L,MgSO4·7H2O 0.1g/L.进行分批发酵实验,发酵120 h灵芝胞外多糖的产量达到3.38g/L.

摘要： 以水稻品种紫粳二倍体和四倍体为实验材料,以低能氮离子束为诱变源,研究了离子束诱变对水稻根尖细胞染色体的影响.结果发现,低能离子束注入引起了水稻根尖分生区细胞有丝分裂异常,出现许多染色体畸变类型,包括后期染色体桥、落后染色体、染色体断片、中期染色体单价体等.染色体畸变率并不是随着剂量的增加呈现直线上升的趋势,而是有一定的摆动性,但总体趋势是注入剂量越大,畸变率越高.由此可见,离子注入引起水稻染色体异常是其发生遗传性变异的细胞学基础.%The seeds of diploid and tetraploid rice were implanted by nitrogen ion beam. The cytological effects of the root tip cells were studied. The results showed that ion beam implantation could inhibit the survival rate and lots of types of chromosome aberration were observed in the mitosis of root tip cells of MO generation, such as chromosome bridge, chromosome fragment, univalent and polyvalent. Chromosome aberration rate was not proportional to N + ion treatment dosages. But as a whole, the more of the dose, the higher of the chromosome aberration rate. The results proved that ion beam could cause abnormity of chromosomes, which might be the cytological reason that leading to the heritable mutations.

摘要： 随着现代石油工业的发展，石油需求量的增加促使人们加大了对石油的开采，同时也给生态环境带来了巨大的威胁。选育高效微生物是环境微生物应用于生物修复的关键一环。离子注入是80年代兴起的一种材料表面处理技术。余增亮等人把离子注入这一高新技术率先应用于作物品种改良和生物效应研究，取得了令人注目的成果，但这一技术在环境生物方面的研究与应用还很少见有报道.低能离子束作为一种新型诱变源，具有损伤较轻、突变率高、突变谱广及突变性状可重复出现等优点，为微生物菌种选育提供了一种新途径，其发现和建立对改良环境微生物具有重要现实意义。

摘要： 本文系统综述了用离子束技术实现稀磁半导体和纳米磁性材料的构建、调控和改性的研究的进展和现状。离子束注入是优选的构建和调控方法，测试结果表明在GaN、 ZnO等新半导体光电材料中注入Mn、Ni、Co等过渡金属离子可以得到低温和室温下的铁磁性。离子束分析技术给出了这些新材料薄膜的微结构信息，透射电镜下观察到过饱和剂量Mn+注入GaN形成的纳米磁性颗粒。

摘要： 我们通过低能离子束注入生物技术改良生物表面活性剂surfactin产生菌株Bacillus subtilis,得到一株高产菌株E8,其发酵液经稀释50倍和100倍后,表面张力值为27.1mN/m和28.5mN/m,分别比出发菌株的表面活性高出4.6倍和16.4倍.在此基础上,进而进行培养基以及培育条件优化使其达到最佳发酵水平,以4％可溶性淀粉为碳源、0.7％硝酸钠为氮源并含有适量Fe2+和Mn2+的优化培养基,surfactin粗提物的产量是原培养基条件下培养的4倍.在小型发酵罐上发酵36-42h时目标产物量即达到最高,surfactin粗提物可以达到12g/L；并且发酵时间比在摇瓶中缩短8-16h。

摘要： 离子束也称低能重离子，是指能量小于1000Kev，原子序数大于2的带电粒子，能直接引起电离。在生物介质中能产生高密度的电离和激发效应，同时产生高活度的自由基，从而引起较强的生理生化作用，诱发较高的突变率；注入离子与生物组织的相互作用是局部的，因而对细胞的损伤程度较轻；但效应不易修复，故突发体较稳定；诱变参数具有多样性(离子种类、离子电荷态、离子具有的能量与剂量等)，使所获得的突变谱较广，是我国独创的一种新型的兼具物理和化学作用的诱变剂。本文采用低能离子束诱变的方法，对野生型的米根霉PW352菌株进行改良。试验表明，通过离子束诱变，嗅甲酚绿平板和珑拍酸平板的双重筛选，无机盐的浓度，可以抑制富马酸等杂酸的产生。

摘要： 本文概述了γ射线、离子束注入、激光、紫外线、空间诱变、化学诱变剂、复合处理等技术的诱变机理及其在蔬菜作物中的研究进展.

摘要： 传统镀硬铬技术存在环境污染问题及镀铬层的性能缺陷。综述了几种可以替代镀硬铬的新工艺的特点、性能及其研究现状,包括非晶态合金镀、高速火焰喷涂、镀金刚粉、离子束注入技术等。以上技术有许多优点,但也各有局限性。提出了选择合适镀硬铬替代工艺的要求。

摘要： 普通的人造金刚石由于存在各种缺陷其强度不能满足工作要求.采用离子束技术注入Ti和N来改善金刚石缺陷,经过SEM和XRD测试结果表明:金刚石晶格排列规则,结晶度提高,改善了金刚石缺陷,并且实验测得金刚石的抗压强度提高了7﹪~18﹪.

摘要： 普通的人造金刚石由于存在各种缺陷其强度不能满足工作要求.采用离子束技术注入Ti和N来改善金刚石缺陷,经过SEM和XRD测试结果表明:金刚石晶格排列规则,结晶度提高,改善了金刚石缺陷,并且实验测得金刚石的抗压强度提高了7﹪~18﹪.

摘要： 普通的人造金刚石由于存在各种缺陷其强度不能满足工作要求.采用离子束技术注入Ti和N来改善金刚石缺陷,经过SEM和XRD测试结果表明:金刚石晶格排列规则,结晶度提高,改善了金刚石缺陷,并且实验测得金刚石的抗压强度提高了7﹪~18﹪.

摘要： 本发明涉及离子束装置、离子注入装置、离子束放出方法。除去堆积于引出电极的反应副生成物，以便能够立即恢复为离子束照射。设定对引出电极（34）施加正电压的正电压期间，在离子源（33）的内部生成电子，从离子源（33）引出电子，使其照射到引出电极（34）来对引出电极（34）进行加热。在真空环境中，反应副生成物层（27）进行蒸发，除去反应副生成物层（27）。向离子源（33）导入清洗气体来生成清洗气体的正离子，设定对引出电极（34）施加负电压的负电压期间，将清洗气体的正离子向引出电极（34）照射，通过溅射或蚀刻反应来除去反应副生成物层（27）也可。

摘要： 本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承离子束被照射体；控制装置(50)，构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。

摘要： 本发明涉及半导体制造设备，其公开了一种用于离子束系统的间热式宽带束离子源，包括弧室、双间接加热式阴极、多通道气体入口装置、窗框型源磁铁、限制源磁铁下游的磁场分布范围的磁屏蔽装置、放置在所述弧室内部的内部电极以及给所述弧室、双间接加热式阴极、窗框源磁铁和放置在所述弧室内部的内部电极供电的电源。本发明的有益效果是：通过采用双间热式阴极，具有可调节局部磁场的源磁铁，具有可调节的多个电极，从而进一步达到调接弧室内的等离子体密度分布的目的。

摘要： 本发明涉及离子束装置、离子注入装置、离子束放出方法。除去堆积于引出电极的反应副生成物，以便能够立即恢复为离子束照射。设定对引出电极（34）施加正电压的正电压期间，在离子源（33）的内部生成电子，从离子源（33）引出电子，使其照射到引出电极（34）来对引出电极（34）进行加热。在真空环境中，反应副生成物层（27）进行蒸发，除去反应副生成物层（27）。向离子源（33）导入清洗气体来生成清洗气体的正离子，设定对引出电极（34）施加负电压的负电压期间，将清洗气体的正离子向引出电极（34）照射，通过溅射或蚀刻反应来除去反应副生成物层（27）也可。

摘要： 本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承离子束被照射体；控制装置(50)，构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。

摘要： 本发明公开了一种应用于离子束抛光系统的离子束确定性添加装置，包括支撑架、支撑架中装设的离子源和受该离子源发出的离子束轰击的靶材，支撑架包括有固定靶材的靶材固定夹具，支撑架上设置有用于截取靶材溅射原子流的光阑；支撑架底部装设有用于安装至离子束抛光系统的安装法兰。本发明还公开了一种离子束抛光系统，包括真空室以及相互连接的运动系统和离子源系统，离子束抛光系统中设有前述添加装置，正对添加装置的离子束发射方向布置有材料去除工艺用夹具，正对添加装置的溅射原子流方向布置有材料添加工艺用夹具。本发明的装置结构简单、制作安装方便，可有效改善光学元件的表面粗糙度、修正光学镜面中高频误差。

摘要： 本发明公开了一种用于离子注入机靶室的法拉第系统及离子束束流品质检测的方法。所述用于离子注入机靶室的法拉第系统包括进行离子注入工艺的腔体，即靶室、以及固定晶片的装置靶台、一个移动法拉第、一个闭环法拉第、一个角度法拉第、一个电子淋浴器。所述离子束束流品质检测的方法为，在注入工艺前，有离子注入设备经离子源产生等离子体，经过引出装置引出，再经过质量分析器来筛选出合适的离子，然后被加速，电扫描最后进入靶室。本发明测得的离子束满足注入指标要求后，靶台运动到注入的位置准备注入，同时为了消除电荷积累对晶片产生不良影响，采用电子淋浴器来产生电子中和离子束的正电荷，提高了产品的良品率。

摘要： 本发明提供一种离子注入器，其包含：固定平面离子束的来源；一组射束线组件，其沿着由第一操作参数值确定的正常射束路径而导引离子束；终端站，其以机械方式横越正常射束路径而扫描晶片；以及控制电路，其在注入通过期间对离子束中的瞬态干扰作出响应以(1)立即将射束线组件中的至少一者的操作参数改变为第二值以将离子束引导远离正常射束路径且进而停止在晶片上的注入过渡位置处的注入，(2)随后将晶片移动到注入恢复位置，在所述注入恢复位置中，晶片上的注入过渡位置正好位于离子束的正常射束路径上，且(3)将操作参数改回到其第一值以沿着正常射束路径引导离子束且恢复在晶片上的注入过渡位置处的离子注入。操作参数可以是提取电源的输出电压或影响离子束的路径的射束线组件的其它电压和/或电流。

摘要： 本发明涉及半导体制造设备，其公开了一种用于离子束系统的间热式宽带束离子源，包括弧室、双间接加热式阴极、多通道气体入口装置、窗框型源磁铁、限制源磁铁下游的的磁场分布范围的磁屏蔽装置、放置在所述弧室内部的内部电极以及给所述弧室、双间接加热式阴极、窗框源磁铁和放置在所述弧室内部的内部电极供电的电源。本发明的有益效果是：通过采用双间热式阴极，具有可调节局部磁场的源磁铁，具有可调节的多个电极，从而进一步达到调接弧室内的等离子体密度分布的目的。

摘要： 本申请公开了一种基于离子注入机的离子束注入控制方法及装置，方法包括当检测到离子源射出第一离子束时，基于移动轨迹确定四极透镜的位置；根据位置依次校正波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘，并控制离子源停止射出第一离子束；当检测到离子源射出第二离子束时，对第二离子束进行聚焦压缩处理，并将第二离子束射出至波束扫描磁铁；对第二离子束进行高频扫描处理，并将第二离子束射出至晶圆乘载盘。通过处理后的离子束可保障晶圆乘载盘在离子束的注入过程中避免持续移动，可有效减少保养与故障频率，以及有助于减少因移动所产生的外在污染；另一方面，还可基于处理后的离子束有效控制对晶圆表面积的再次注入过程，进而极大缩短离子束的输入时间。