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马全喜;
无;
掺杂; 半导体; 电离率; 简并半导体;
机译:锂共掺杂三价掺杂ZnO中的热电离诱导的金属-半导体跃迁和室温铁磁性
机译:通过脉冲激光沉积共掺杂的ZnO稀释的磁性半导体薄膜:优异的透射率,低电阻率和高迁移率
机译:重掺杂P型GaN和宽带隙半导体中受激态激发子的电离效率提高
机译:过渡金属掺杂半导体纳米晶体中掺杂剂离子迁移率的测定。
机译:半导体中ZnO的氮掺杂改善了半导体:ZnO供体:受体界面的激子离解
机译:关于确定半导体晶体中掺杂杂质的浓度及其电离能的问题
机译:半导体测量技术:磷和硼掺杂硅的电阻率和掺杂浓度之间的关系
机译:掺杂半导体材料的主体,其异质非掺杂原子的散射中心位于两层相对电导率之间
机译:利用掺杂和非掺杂多晶硅的刻蚀率制造半导体DRAM单元的方法
机译:具有电容器结构的DRAM-具有半导体衬底和相反电导率的掺杂区,并且在衬底表面上具有绝缘层,且孔径达到掺杂层
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