氢化非晶氮化硅薄膜的光学特性研究

摘要

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积 (HWP -CVD)技术以SiH4 和N2 为反应气体沉积了氮化硅 (SiN)薄膜 ,利用傅里叶红外吸收谱 (FTIR)、紫外 -可见透射谱 (UV -VIS)等对薄膜的键合结构、光学带隙等参量进行了测量与分析 .结果表明 ,采用HWP -CVD技术能在较低的衬底温度下制备低H含量的SiN薄膜 ,所沉积的薄膜主要表现为Si -N键合结构 .适当提高N2 /SiH4 比例将有利于薄膜中H含量的降低 .