氮化硅的光致发光

摘要

采用PECVD技术在单晶硅(100)硅片表面沉积非晶氮化硅薄膜(-αSiNx),通过改变压强,调节氮气流量制备样品,再对沉积态样品进行真空传统退火和氮气氛围快速热退火(RTP)处理.研究认为,所制备的-αSiNx薄膜(N2与SiH4流量比>20∶1)的发光机制以能隙态模型发光机制为主.反应气体流量比不变,提高总的反应气压样品的发光主峰峰位发生了蓝移,真空高温长时间退火会减弱其光致发光效应,快速短时退火有利于其发光峰的增强.