三结砷化镓太阳电池干法刻蚀技术研究

摘要

通过采用Cl2/BCl3/Ar作为刻蚀气体对三结砷化镓太阳电池隔离槽干法刻蚀工艺进行研究。针对单参数对刻蚀速率及刻蚀形貌的研究,摸索出最优工艺参数。研究结果表明采用合适的工艺参数,可以实现隔离槽一次刻蚀,并且干法刻蚀技术制备的二极管电性能良好,能经受环境适应性试验和可靠性验证。利用干法刻蚀技术,刻蚀精度大为提高,刻蚀形貌也大为改善,二极管制备合格率提高了2.5%以上。