ABO3型结构陶瓷中的半导化问题

摘要

本文研究了在ABO3钙钛矿型结构氧化物陶瓷中，晶格结构因素半导化的影响。氧缺位和B位离子变价是使ABO3氧化物呈n型导电的原因。A位离子半径大、B位离子变价还能能力强的材料，如BaTiO3、BaSnO3通过施主掺杂或还原气氛凝结，易得到n型半导体。相反，如SrTiO3、CaTiO3、BaZrO3实现n型产导化较为困难，对SrTiO3，若在施主掺杂同时辅以还原气氛烧结，可造成氧缺位实现n型半导化。PbTiO3的晶格结构因素本有利于n型半导化，但由于Pb易辉发而具P型导电性，故通常要采取抑制Pb挥发的措施。