Sm取代Tb(Dy)对RE-TM薄膜磁光性能的影响

摘要

采用磁控溅射复合靶的方法制备了SmTbCo/Cr和SmDyCo/Cr非晶垂直磁化膜,分析了Sm含量对SmTbCo/Cr和SmDyCo/Cr薄膜磁光性能的影响.结果表明：随着Sm含量的增加,（SmxTb1-x）31 Co69和（SmxDy1-x）36 Co64薄膜的剩余磁化强度Ms、克尔旋转角θk和反射系数R增加,而Hc随之减少;Sm含量为29%～30%时,Hc×Ms最大.