C eO 2掺杂对 PZT 压电陶瓷介电性能的影响

摘要

为了提高Pb（Zr0．52 Ti0．48）O3（PZT）压电陶瓷的性能，通过改进传统固相法，研究CeO2不同掺杂量对PZT压电陶瓷性能的影响。采用X射线衍射和阻抗分析仪对样品进行分析，研究结果表明，掺杂后的PZT压电陶瓷均为单一的钙钛矿结构，随着掺杂量的增加，晶相逐渐从四方相向三方相转变，相对介电常数和介电损耗先增加后减少。当CeO2掺杂质量分数为0．6％时，介电常数达到最大值，为934；掺杂质量分数为0．8％时，介电损耗最小，为1．3％。这表明了CeO2掺杂既可以是“软性”掺杂，又可以是“硬性”掺杂。