Bi2Se3纳米片生长及晶体管制备

陈磊; 王雨濛; 俞金玲

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Bi2Se3纳米片生长及晶体管制备

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通过化学气相沉积方法,在云母衬底上制备高质量的Bi2Se3纳米片.采用湿法转移技术,将纳米片转移到SiO2衬底上.用光刻技术制备基于单个Bi2Se3纳米片的晶体管,并施加底栅电压,对Bi2Se3纳米片晶体管进行有效调控.研究表明:当Bi2Se3纳米片与电极之间形成欧姆接触时,底栅的调控效果较好;而当Bi2Se3纳米片与电极之间形成肖特基接触时,底栅的调控效果较差.

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来源
《福州大学学报：自然科学版》 |2020年第5期|591-595|共5页
作者
陈磊; 王雨濛; 俞金玲;
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作者单位

福州大学物理与信息工程学院;

福建福州350108;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.4;
关键词
Bi2Se3纳米片; 拓扑绝缘体; 晶体管; 化学气相沉积法;

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