In(OH)_3和In_2O_3微米立方的简易合成及其气敏性能(英文)

摘要

利用水热法,在没有表面活性剂和有机溶剂的情况下,在一定pH值下合成In(OH)3微米立方。通过在400℃煅烧In(OH)3前驱体,制备In2O3微米立方。所制备的In2O3保持In(OH)3微米立方的结构和形貌,但在煅烧中,由于脱水,In2O3微米立方有轻微的变形。采用X射线衍射仪、扫描电镜和热重分析对所制备样品的相成分、形貌和热性能进行表征。在最佳工作温度275℃下,评估In2O3微米立方对H2、CO、CH4、C2H5OH和CO2的气敏性能。测试结果表明,In2O3微米立方对C2H5OH有良好的气敏性能。最后,对In2O3微米立方的敏感机理进行讨论,可知In2O3微米立方除了作为气敏材料,也可用于微电子和光电子器件材料。