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邻苯二甲酸氢铊(TAP)晶体在不同温度区间结晶状态的研究

         

摘要

本文采用热分析法分别测定出40~50℃生长的TAP晶体(I)和50~70℃生长的TAP晶体(Ⅱ)两样品于35~140℃温区内均没有任何脱水及相变峰。同时分别对TAP晶体(I)和(Ⅱ)进行X射线粉末衍射物相分析和x射线双晶衍射实验,结果发现两种样品的衍射数据及衍射参数吻合较好。实验结果进一步证实,40~50℃下生长的TAP晶体没有出现水合物,而且和50℃以上生长的TAP晶体具有相同的晶体结构。因此认为TAP晶体生长的温度区间可以扩展为40~70℃下进行。

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