邻苯二甲酸氢铊（TAP）晶体在不同温度区间结晶状态的研究

摘要

本文采用热分析法分别测定出４０～５０℃生长的ＴＡＰ晶体（Ｉ）和５０～７０℃生长的ＴＡＰ晶体（Ⅱ）两样品于３５～１４０℃温区内均没有任何脱水及相变峰。同时分别对ＴＡＰ晶体（Ｉ）和（Ⅱ）进行Ｘ射线粉末衍射物相分析和ｘ射线双晶衍射实验，结果发现两种样品的衍射数据及衍射参数吻合较好。实验结果进一步证实，４０～５０℃下生长的ＴＡＰ晶体没有出现水合物，而且和５０℃以上生长的ＴＡＰ晶体具有相同的晶体结构。因此认为ＴＡＰ晶体生长的温度区间可以扩展为４０～７０℃下进行。