微细条形NiFe薄膜元件在磁化和反磁化过程中磁畴结构的变迁过程

摘要

详细观察了长条形NiFe薄膜元件(宽120μm,厚40nm)沿难轴方向(长方向)磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程.观察表明,在磁化过程中,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在;在反磁化过程中,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素,也是造成元件输出讯号中Barkhausen噪声的主要物理根源.