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在Si基底上真空蒸发沉积Ag-MgF2复合薄膜的内应力研究

         

摘要

报道了用电子薄膜应力分布测试仪测量了不同温度、不同厚度的Ag-MgF2复合薄膜的内应力变化情况,得到了基底温度(退火温度)在300~400℃范围内薄膜平均应力最小,且处于张应力向压应力转变区域.XRD分析表明,在Ag-MgF2复合薄膜中Ag对复合薄膜内应力的影响大于MgF2.

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