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李国强; 谷智; 介万奇;
西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;
Cd0.9Zn0.1Te; Cd补偿垂直布里奇曼法; EPD; 红外透过率 ; 电阻率 ;
机译:垂直布里奇曼法和ACRT技术生长In掺杂CdMnTe晶体
机译:垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中微米级次生相的形貌演化
机译:垂直布里奇曼法研究Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te的晶体生长和表征
机译:垂直布里奇曼法生长的Cd_(0.90-x)Mn_xZn_(0.10)Te(x = 0.10,0.20)晶体的性质
机译:垂直布里奇曼法合成锌铟锡晶体和铜锌锡硫化物晶体的光电化学表征和染料敏化。
机译:垂直布里奇曼法生长的碲化锡准晶体的热电性能
机译:改进的垂直布里奇曼技术用于Gaas晶体生长
机译:垂直布里奇曼法的晶体生长装置
机译:垂直布里奇曼法生长的气体单晶的最佳生长参数
机译:垂直布里奇曼法生长GaAs单晶长度增加的生长速率控制方法
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