首页> 中文期刊> 《功能材料》 >纳米Zn1-xFexSe薄膜的制备和结构研究

纳米Zn1-xFexSe薄膜的制备和结构研究

         

摘要

采用双源热蒸发方法制备了纳米Zn1-xFexSe稀释磁性半导体薄膜,根据X射线衍射谱和Raman散射谱研究了薄膜的晶体结构和声子谱特征.结果表明:Zn1-xFexSe薄膜中纳米晶粒的晶格常数随Fe含量增加而增大;通过Raman散射光谱观察到明显的声子限域效应,与ZnSe体材料相比,Zn1-xFexSe薄膜同光学声子模对应的Raman散射峰表现出宽化和红移;纳米晶粒的晶格膨胀导致Raman散射峰红移随Fe含量增多而相应加大.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号