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何小祥; 吴传贵; 张万里;
电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054;
PTCR; BST薄膜; 陷阱填充限制电流; 空间电荷限制电流;
机译:退火对Pt / Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 / Pt薄膜电容器漏电流特性的影响
机译:Pt / Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 / Pt薄膜电容器的漏电流特性
机译:Pt / Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)/ Pt薄膜电容器的漏电流特性
机译:掺Er(Ba,Sr,Ca)TiO3的室温电阻率和PTCR特性
机译:评估创伤后应激障碍(PTSD)对退伍军人妻子的影响:对被诊断为PTSD的退伍军人妻子的生活改变经验的现象学研究。
机译:DPP-4抑制剂alogliptinlinagliptinsaxagliptinsitagliptin和vildagliptin的结合特性二肽基肽酶-4(DPP-4)抑制活性和降糖功效的比较研究
机译:PT / SRTIO3 / PT电容漏电流机制的综合研究
机译:使用拾取反应研究exp 191 pt,exp 193 pt,exp 195 pt和exp 197 pt
机译:研究正交异性复合材料的强度特性-使用appts。带有固定测试杆的钳口和带有对称摆的圆柱板,可表征样品特性
机译:用磁罗盘和制造的探测器测量电磁量的方法,用于测量检测器上的物理修饰对象的东,西接触的东西方,以及近似的TSPP-TSPPT-TSPP-TSPPT-TSPPT-TSPPT-TSPPT-TSPPT -TSPPT-TSPPT-TSPPPT-TSPPPT-TFR-TFRPTTPPT-RTPPT-TSPPT-TSPPT-TXPT-TFT-TFR-TXPT-TFT-TFRPT-TFR-TFT-TFRPT-TFT-TFT-TF-FPT-TF-FF-TF -FPT-TF-FPT-TF-FPT-TF-FPT-TF-FPT-TF-FPT-TF-FPA
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