电针神庭、百会穴对脑缺血再灌注后认知障碍大鼠学习记忆能力及自噬相关基因和蛋白表达的影响

摘要

目的:观察电针神庭、百会穴对脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力及海马部位自噬相关基因和蛋白表达的影响,探讨脑卒中后认知障碍康复的机制.方法:清洁级健康SD雄性大鼠48只,按照随机数字表分为电针组18只、模型组18只和假手术组12只;电针组和模型组采用改良Zea Longa线栓法建立大鼠脑缺血再灌注损伤模型.造模后第2天电针其神庭、百会穴,每次30 min,每天1次,造模后第10天处死动物.电针干预后第4～8天,采用Morns水迷宫实验观察大鼠学习记忆能力,TTC染色观察大鼠脑梗死面积,荧光定量PCR和Western Blot分别检测大鼠海马部位自噬相关基因和蛋白表达.结果:①Morris水迷宫实验:与模型组比较电针组大鼠的逃避潜伏期明显缩短,穿越平台期的次数增多,路程缩短(P＜0.05);②神经缺损评分:与模型组比较,电针组治疗后脑缺血再灌注损伤大鼠的神经缺损评分降低(P＜0.05);③TTC染色结果:电针组和模型组中大鼠梗死面积明显高于假手术组;与模型组比较,电针组大鼠梗死体积明显减小,差异有统计学意义(P＜0.05);④基因及蛋白表达:与模型组比较,电针组左侧海马部位的Beclin-1、LC3 Ⅰ/Ⅱ、PI3K的基因及蛋白表达水平升高,差异有统计学意义(P＜0.05).结论:电针神庭、百会穴可减少脑梗死体积,改善动物行为学,对神经细胞具有保护作用.对自噬的调控可能是电针能改善脑卒中后认知障碍的生物学机制之一.